Samsung revela visão para memórias 3D e traça o futuro da infraestrutura de IA
Com avanços em 3D DRAM, V-NAND de altíssima densidade e soluções HBM4, fabricante sul-coreana reforça liderança para superar a gargalo da memória no processamento de inteligência artificial
Durante a conferência Future Memory and Storage (FMS) 2026, a Samsung Electronics apresentou sua visão estratégica global para a próxima geração de arquiteturas de memória tridimensional (3D Memory). A apresentação focou em soluções projetadas para superar a “parede de memória” (memory wall), obstáculo crítico para o avanço do processamento de inteligência artificial generativa e grandes modelos de linguagem (LLMs) em escala global. A nova folha de rota da fabricante abrange desde a transição para estruturas 3D DRAM até módulos V-NAND de densidade extrema e tecnologias de alta largura de banda (HBM4/HBM4E), direcionadas a data centers de hiperscala e supercomputadores.
Nova arquitetura DRAM 3D da Samsung
Um dos pilares da visão apresentada pela Samsung é a evolução da memória de acesso aleatório (DRAM) de uma estrutura planar bidimensional para um formato tridimensional empilhado. Essa abordagem permite continuar expandindo a capacidade de memória sem enfrentar as barreiras físicas da miniaturização abaixo da escala de 10 nanômetros.
O ecossistema de armazenamento e memória 3D inclui avanços fundamentais:
- 3D DRAM de Próxima Geração: Empilhamento vertical de células de memória que multiplica a capacidade por chip, reduzindo a pegada física nos servidores e melhorando as taxas de transferência de dados.
- Avanços em V-NAND (NAND 3D): Progressos na meta de ultrapassar a marca de 1.000 camadas verticais até o final da década, viabilizando unidades de armazenamento SSD corporativas (enterprise) com capacidades superiores a 100 TB em formatos compactos.
- HBM4 e HBM4E: Módulos de memória de alta largura de banda equipados com interfaces estendidas de 2048 bits e base dies produzidos em processos de fundição avançados, permitindo integração direta com aceleradores e GPUs de IA.
- Arquitetura CXL (Compute Express Link): Soluções CXL para pooling e expansão flexível de memória RAM entre múltiplos nós de servidores, otimizando o uso de recursos em clusters de nuvem.
O crescimento contínuo do treinamento e da inferência de IA em tempo real elevou significativamente a demanda energética dos data centers. Ao focar em arquiteturas 3D, a Samsung busca entregar não apenas ganhos brutos de velocidade, mas também uma melhoria substancial na taxa de eficiência por watt.
Implementação nos cenário de IA atual
As novas soluções de memória 3D DRAM e módulos HBM4 apresentados na FMS 2026 começarão a integrar as próximas gerações de servidores e plataformas de computação de alto desempenho (HPC). Para os grandes provedores de serviços em nuvem e indústrias de tecnologia, esses avanços representam a base necessária para sustentar a expansão dos modelos de IA sem criar gargalos operacionais ou custos proibitivos de infraestrutura.
