CXMT planeja ultrapassar Samsung ao lançar memórias DDR5 RDIMM até o fim de 2025
Fabricante chinesa acelera transição tecnológica para transistores verticais, encurtando a área da célula de memória e mira o mercado de servidores de alta densidade
A fabricante chinesa de memórias ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciou um movimento estratégico que pode redefinir a disputa de liderança no mercado global de semicondutores. Durante a Integrated Chip and Chiplet Conference, a empresa confirmou o lançamento, até o final deste ano, de módulos de memória DDR5 RDIMM para servidores baseados na arquitetura de célula 4F². O anúncio coloca a CXMT em posição de ultrapassar temporariamente gigantes como Samsung e SK Hynix na adoção comercial dessa tecnologia de nova geração.
O salto tecnológico: O que é a arquitetura 4F²?
Nas últimas décadas, a indústria de DRAM dependeu da arquitetura 6F² para a construção das células de memória (onde F representa a menor dimensão de fabricação do processo). No entanto, com a proximidade dos limites físicos de miniaturização dos transistores planares tradicionais, a redução de escala tornou-se cada vez mais complexa e dispendiosa.
A arquitetura 4F² resolve essa limitação estrutural ao migrar para o uso de transistores verticais (SGT – Surround Gate Transistor):
- Redução de Área Física: A transição do padrão 6F² para 4F² reduz a área de cada célula individual de memória em até 30%, permitindo alocar significativamente mais bits por bolacha de silício (wafer).
- Densidade e Eficiência: O aumento da densidade por die viabiliza módulos de capacidade massiva para servidores, reduzindo o consumo de energia por gigabyte armazenado.
- Aceleração no Roteiro: Enquanto líderes de mercado projetavam a chegada comercial da arquitetura 4F² para meados de 2027 ou 2028 em nós sub-10nm, a CXMT antecipa a entrega do primeiro produto funcional para o final de 2026.
Foco estratégico no mercado de servidores e ecossistema de IA
A escolha de aplicar a nova arquitetura primariamente em módulos DDR5 RDIMM (Registered DIMM) direcionados a data centers reflete uma decisão comercial clara. O avanço vertiginoso de infraestruturas para treinamento e inferência de Inteligência Artificial demanda capacidades cada vez maiores de memória de sistema para suportar os processadores de servidor Intel Xeon e AMD EPYC.
Além disso, a implementação de produtos 4F² funcionais fortalece a cadeia de suprimentos de semicondutores da China, reduzindo a dependência externa de memórias de alto desempenho em um momento de crescentes restrições comerciais no cenário internacional.
Tabela comparativa da transição de arquitetura DRAM
| Parâmetro / Recurso | Arquitetura Tradicional (6F²) | Nova Arquitetura CXMT (4F²) |
| Estrutura do Transistor | Planar ou levemente inclinado | Transistor Vertical (SGT) |
| Área da Célula de Memória | Padrão $6 \times F^2$ | Padrão $4 \times F^2$ (redução de ~30% na área) |
| Densidade por Wafer | Limite próximo da saturação física | Significativamente maior densidade de bits |
| Primeiro Formato Alvo | DDR4 / DDR5 convencionais | DDR5 RDIMM (Servidores e Data Centers) |
| Previsão de Estreia Comercial | Amplamente adotado | Final de 2026 (CXMT) |
